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| Kategorien: Transistoren:
Maximale Kollektor-Basis Spannung -10 V (1)200 V (2) 5 V (3) Nicht angegeben (3) Montageart Oberflächenmontage (6)Nicht angegeben (3) Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung 1,1 V (5)Nicht angegeben (4) Maximale Betriebstemperatur 150 °C (3)Nicht angegeben (6) Länge 3 mm (3)Nicht angegeben (6) Anzahl der Elemente pro Chip 1 (3)Nicht angegeben (6) Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung 1,0 V (1)-5 V (1) 5 V (3) 0,2 V (3) Nicht angegeben (1) Minimale Betriebstemperatur -55 °C (3)Nicht angegeben (6) Maximaler DC Kollektorstrom 50 A (1)3 A (1) -10 A (7) Kollektor-Emitter-Spannung 50 V, -50 V (1)200 V (1) 100 V (3) 100 V, -100 V (6) Nicht angegeben (1) Gehäuse SOT-89 (3)SOT-23 (3) Nicht angegeben (3) Maximale Basis-Emitter Spannung -3 V (1)-10 V (1) 5 V (3) 20 V (3) Nicht angegeben (1) Höhe 1,1 mm (3)Nicht angegeben (6) Anzahl der Pins 3 (3)Nicht angegeben (6) Produktart N-Kanal Anreicherungs-MOSFET (6)Nicht angegeben (3) Transistor-Typ Leistungstransistor (6)Nicht angegeben (3) Maximale Verlustleistung 580 mW (9)Ausgewählte Filter: Maximale Verlustleistung: 580 mW![]() Alle Filter löschen ![]() |