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Kategorie Transistoren

, Herstellungsland und -region: Thailand

, Maximale Basis-Emitter Spannung: 8 V

, Keine Angebote von Verkäufer: svs53

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Mosfet, n-Ch , 30V, 9.9A, 8SOIC, Mosfet Transistoren, Qty.1 IRL6342TRPBF
-mos fet+ -c h+ -30 v+ -9 a+ -8so ic+ -transi storen+ -qt y+ -irl634 2trpbf+ -275535498481
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Mosfet, P-Ch 30V 13A, PQFN-8, Mosfet Transistoren, Qty.1 IRFHS9301TRPBF
-mos fet+ -c h+ -30 v+ -13 a+ -pq fn+ -transi storen+ -qt y+ -irfhs93 01trpbf+ -275537174432
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Mosfet, Doppelt P-Ch 30V 9.2A, SOIC-8, Mosfet Transistoren IRF9358TRPBF
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Mosfet, N & P Ch, 20V, 2.4A, MSOP-8, Mosfet Transistoren, Qty.1 IRF7507TRPBF
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Mosfet,Doppelt n-Ch ,20V,5.4A,USOIC-8,Mosfets Transistor,Qty.5 IRF7530TRPBF
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Kategorien:

Transistoren

Transistoren:

Maximale Kollektor-Basis Spannung

13 V (1)
Nicht angegeben (4)

Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung

2,5 V (1)
Nicht angegeben (4)

Anzahl der Elemente pro Chip

1 (4)
Nicht angegeben (1)

Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

  5 V (1)
  4 V (1)
  -5 V (1)
  1,0 V (3)
  Nicht angegeben (1)

Maximaler DC Kollektorstrom

  2,5 A (1)
  2,4 A (1)
  8 A (4)

Kollektor-Emitter-Spannung

-20 V, 20 V (2)
-30 V, 30 V (3)

Gehäuse

  PQFN-8 (1)
  SOIC (2)
  MSOP (2)

Maximale Verlustleistung

2,5 W (1)
Nicht angegeben (4)

Herstellungsland und -region

Thailand (5)

Marke

Infineon (5)

Maximale Basis-Emitter Spannung

8 V (5)
-8 V (5)

Ausgewählte Filter:

Herstellungsland und -region: Thailand

Maximale Basis-Emitter Spannung: 8 V

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